Please take a moment to complete this survey below
Library's collection Library's IT development CancelDalam perkembangan power amplifier, MOSFET banyak digunakan
dalam komposisi pembuatannya. Seperti diketahui, MOSFET memiliki kerugian
waktu on-off yang lebih lama dibandingkan dengan IGBT. Kerugian waktu on-off
tersebut berdampak pada panas yang ditimbulkan MOSFET. Selain IGBT
memiliki waktu on-off yang lebih cepat, IGBT juga tidak membebani sumber
inputnya.
Tujuan dari tugas akhir ini adalah merancang power amplifier class D
dengan menggunakan IGBT driver semikron SKHI 22B dan IGBT module
SKM75GB128DN. Power amplifier ini berbasis amplifier digital yang
menggunakan sistem Pulse Width Modulation (PWM) untuk memproses sinyal
audio. Sinyal audio yang masuk akan diproses menjadi sinyal digital yang
kemudian akan diperkuat oleh transistor IGBT dan output-nya kembali di-filter
menggunakan low pass filter sehingga dapat diterjemahkan ke subwoofer.
Power amplifier yang telah dirancang mampu menghasilkan daya
maksimal 7.41 watt. Respon frekuensi yang dihasilkan oleh power amplifier 0-
180Hz. Dari segi kualitas suara yang dihasilkan oleh subwoofer cenderung kasar
karena proses pengubahan sinyal digital menjadi sinyal asli tidak sempurna.